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很多人只知道NAND Flash却不知道NOR Flash，知道NAND Flash却不知道“NAND”和“NOR”是什么意思，以及其底层机制。本文做了说明。由闪存前沿厂商@PMC官方微博 提供支持！更多内容可参考《大话存储2》修订版。这里不过多叙述NAND Flash基础原理和知识。

当需要读出某个Page时，Flash Controller控制Flash芯片将相应这个Page的字线，也就是串连（实际上属于并联）同一个Page中所有Cell上的CG的那根导线，电势置为0，也就是不加电压，其他所有Page的字线的电势则升高到一个值，也就是加一个电压，而这个值又不至于把FG里的电子吸出来，之所以抬高电势，是为了让其他Page所有的Cell的S和D处于导通状态，而没被加电压的Cell（CG上的电势为0V），也就是我们要读取的那些Cell，其S和D的通断，完全取决于其FG中是否存有电子。说白了，未被选中的所有Cell，均强制导通，被选中的Cell的FG里有电，那么串联这一串Cell的位线就会被导通，这是一种AND也就是与的关系；被选中Cell的FG里如果没电，那么其所处的Cell串的位线就不能导通（虽然串上的其他Cell均被强制导通），这也是AND的关系。也就是一串Cell，必须全导通，其位线才能导通，有一个不导通，整条位线就不通。这就是NAND Flash中的“AND”的意义。那“N”表示什么？N表示Not，也就是非，NAND就是“非与”的意思。为什么要加个非？很简单，导通反而表示0，因为只有FG中有电才导通，上文也说了，FG中有电反而表示0，所以这就是“非”的意义所在。

还有一类NOR Flash，NOR就是“非或”的意思，大家自然会想到，位线一定不是串联的，而是并联的，才能够产生“或”的逻辑。实际上，在NOR Flash里，同样的一串Cell，但是这串Cell中的每个Cell均引出独立的位线，然后并联接到一根总位线上，另外一点很重要的是，每个Cell的S和D之间虽然物理上是串连，但是电路上不再是串联，而是各自有各自的接地端，也就是每个Cell的S和D之间的通断不再取决于其他Cell里S和D的通断了，只取决于自己。以上两点共同组成了“或”的关系，同时每个Cell具有完全的独立性，此时只要通过控制对应的地线端，将未被选中的Cell地线全部断开，这样它们的S和D极之间永远无法导通（逻辑0状态），由于每个Cell的位线并联上联到总位线，总位线的信号只取决于选中的Cell的导通与否，对于被选中的Cell，NOT {（“地线接通”AND“FG是否有电”）OR “未被选中Cell的输出”} = “总位线的1/0值”，这就是NOR非与门的逻辑。

由于NOR Flash多了很多导线，包括独立地线（通过地址译码器与Cell的地线相连）和多余的上联位线，导致面积增大。其优点是Cell独立寻址，可以直接用地址线寻址，读取效率比NAND要高，所以可以直接当做RAM用，但是写入时由于擦除效率比NAND低，所以不利于写频繁的场景。

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