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【原文可参阅http://www.cnbeta.com/articles/137979.htm】

据消息来源透露，Intel公司近期可能会公开其22nm制程工艺的部分技术细节，据称Intel的22nm制程工艺的SRAM部分将采用FinFET垂直型晶体管结构，而逻辑电路部分则仍采用传统的平面型晶体管结构。消息来源还称Intel“很快就会”对外公开展示一款基于这种22nm制程的处理器实物。不过记者询问Intel发言人后得到的答复则是:”我们不会对流言或猜测进行评论。”

尽管早在2009年Intel高管Mark Bohr便曾公开过其22nm制程SRAM的部分细节和实物，不过按Intel发言人的话说：“我们目前为止一直对22nm制程技术的技术细节守口如瓶。”过去几个月以来，外界普遍猜测Intel近期会公布其22nm制程的有关技术细节和产品实物，而且Intel的发言人也没有否认这种说法。

据消息来源称，Intel这种Finfet/平面型晶体管结构混合的方法可令SRAM部分的晶体管密度更高，且更易于对Vmin值进行控制，与此同时，相对较复杂的逻辑电路部分采用平面型晶体管结构则可降低工艺的复杂性。多年来，出于商业宣传的目的，Intel一直将自己所使用的垂直型晶体管技术称为“三栅( TriGate)架构”，不过三栅晶体管与Finfet并不存在本质的区别，均是通过采用沟道被多个栅极围绕的设计来增强对沟道的控制。

假如这则消息属实的话，那么5年之后Intel在制程技术方面无疑又站到了业界的最前列。5年前的2007年1月份，Intel宣布在45nm制程产品中集成HKMG工艺，并同时推出了基于这种技术的多款处理器样品。

去年举办的IEDM大会上，Intel没有发表任何有关的重要文件，此举引发外界的广泛猜疑，许多人均认为此举表明Intel很快就会推出自己的三栅技术。

假如消息为真，那么Intel在应用Finfet垂直型晶体管技术方面显然又一次领先了对手，此举无疑将对其它芯片制造公司制造一定的压力，有可能会促成这些公司对自己的20nm/14nm技术发展路线图进行一些修改。预计一些公司未来将使用Finfet技术，比如台积电便是Finfet工艺的倡导者之一。而另外一些公司如意法半导体等则明确表示将在14nm制程节点启用平面型的全耗尽型SOI技术（FDSOI）

去年6月份，台积电高级副总裁蒋尚义宣布公司将于14nm制程节点转向使用Finfet技术，并对有关的设计工具，技术体系等进行重新设计。有消息来源表示台积电若想如期在14nm制程转向Finfet技术，需要作为其客户的芯片设计厂商从现在起就开始变更芯片设计方法，这样届时其产品才能用上14nm制程的Finfet技术来制作。因此这位消息来源认为台积电在14nm制程应用的初期会首先推出一款基于平面型体硅制程的工艺，然后才推出基于Finfet技术的高性能制程。

IBM方面则表现得有点“脚踩两只船”，他们在往届大会上发布的文章既有涉及Finfet，也有涉及FDSOI工艺。而GlobalFoundries则在其举办的2010年的一项会展仪式上明确表示22/20nm制程节点会继续使用平面型晶体管技术，不过HKMG制造工艺方面则会从现用的Gate-first改为Gate-last，他们还将继续同时提供基于体硅和SOI两种制程的产品。不过GlobalFoundries目前为止并未透露其14nm制程节点的有关动向。

2009年，Intel曾展示了基于22nm制程的SRAM试制产品，当时他们宣称其22nmSRAM包含有3.64亿个记忆单元，并称其SRAM单元晶体管采用了两种不同的尺寸设计，一种为0.108×0.108平方微米结构，另外一种则为0.092×0.092平方微米结构，前面一种结构的单元晶体管据称专为低电压条件下的操作优化，而后面一种结构的晶体管则专为提高晶体管密度而优化，Intel并称这块试制芯片内含29亿个晶体管。

CNBeta编译
原文：semimd

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