3-D and III-V Transistors will be mass production,Moore’s Law Will Go on
作者 thunder1814 | 2011-05-08 08:45 | 类型 新兴技术, 新闻稿 | 8条用户评论 »
Intel宣布革命性3-D晶体管 22nm Ivy Bridge尝鲜摘要：5月4日，英特尔宣布在晶体管发展上取得了革命性的重大突破–被称为三栅极（Tri-Gate）的世界上首款3-D晶体管进入生产技术阶段。使用3-D三栅极晶体管的22纳米英特尔芯片（代号为Ivy Bridge）将在2011年底进行批量生产。 标签：英特尔 3-D三栅极晶体管 Ivy Bridge 5月4日，英特尔宣布在晶体管发展上取得了革命性的重大突破–被称为三栅极（Tri-Gate）的世界上首款3-D晶体管进入生产技术阶段。使用3-D三栅极晶体管的22纳米英特尔芯片（代号为Ivy Bridge）将在2011年底进行批量生产。 3-D三栅极晶体管续写摩尔神话 晶体管是现代电子设备的基石。自五十多年前硅晶体管发明以来，我们使用的一直是2-D平面晶体管。3-D三栅极晶体管则代表着晶体管结构的根本性转变：传统”扁平的”2-D平面栅极被超级纤薄的、从硅基体垂直竖起的3-D硅鳍状物所代替。电流控制是通过在鳍状物三面的每一面安装一个栅极而实现的（两侧和顶部各有一个栅极），而不像2-D平面晶体管那样，旨在顶部有一个栅极。更多的控制可以使晶体管在”开”的状态下让尽可能多的电流通过（为了获得更高性能），而在”关”的状态下尽可能让电流接近零（为了获得更低能耗），同时实现在这两种状态之间的迅速切换（也是为了获得更高性能）。
32nm平面与22nm立体对比
22nm 3-D Tri-Gate晶体管结构简图 就象通过盖高楼大厦而获得更多使用空间一样，这种3-D三栅极晶体管结构提供了一种管理晶体管密度的方式。由于这些鳍状物本身是垂直的，晶体管也可以更加紧密地封装起来。而且，未来设计师还可以不断增加鳍状物的高度，从而获得更高的性能和能效。 Intel声称，与32纳米平面晶体管相比，22纳米3-D 三栅极晶体管可带来最多37％的性能提升，而且同等性能下的功耗减少一半，这意味着它们更加适合用于小型掌上设备。 很多人都听说过著名的摩尔定律，即晶体管密度大约每18个月便会增加一倍，同时其功能和性能将提高，成本则会降低。40年来，摩尔定律已经成为半导体行业的基本商业模式。然而，随着处理器制程的不断提高，延续摩尔定律也变得越来越困难。 事实上，英特尔的科学家早在2002年就发布了三栅极晶体管设计，接着是单鳍片晶体管展示（2002年）、多鳍片晶体管展示（2003年）、三栅极SRAM单元展示（2006年）、三栅极后栅极（RMG）工艺开发（2007年），直至今日方才真正成熟。这一突破的关键之处在于，Intel可将其用于大批量的微处理器芯片生产流水线，而不仅仅停留在试验阶段。摩尔定律也有望继续保持活力。 不过，在英特尔高级院士马博（Mark Bohr）看来：”3-D三栅极晶体管实现了前所未有的性能提升和能耗节省，这一里程碑的意义要比单纯跟上摩尔定律的步伐更深远。低电压和低电量的好处，远远超过我们通常从一代制程升级到下一代制程所得到的好处。它将让产品设计师能够更加灵活地将现有设备创新的更智能，并且有可能开发出全新的产品。” ARM王位难保? 在记者看来， 尽管3-D 三栅极晶体管在性能上实现了惊人的37%的提升，但其在能耗上的提升，可能对英特尔的未来的影响更深远，甚至可能改变整个移动互联处理器市场格局。 当前，在手持设备和平板电脑处理器领域，ARM占据了90%的市场，可谓当之无愧的老大，而ARM芯片的主要优势就是低能耗。英特尔一直借凌动处理器来进攻该市场，但效果并不是特别理想。主要的理由也就是能耗逊色于ARM芯片。如今，3-D 三栅极晶体管实现了前所未有的低能耗，势必对ARM芯片的王者地位造成巨大挑战。在发布会现场，记者曾经向英特尔半导体（大连）有限公司柯必杰（kirby Jefferson）求证过基于3-D 三栅极晶体管的22奈米芯片与ARM芯片之间能耗孰优孰劣的问题。柯必杰回答说：”我还不能给你具体数据，但我们英特尔内部有实验比对数据，我只能说我们的处理器无论是性能还是能耗都有极大的优势。” 不过，英特尔表示，会优先生产基于3-D 三栅极晶体管的服务器和台式机芯片。柯必杰表示那毕竟是目前英特尔的主要领域，无疑，3-D 三栅极晶体管将使得英特尔在22纳米甚至14纳米时代保持巨大的领先优势。 可以预见的是，不久的将来，我们将迎来更轻更薄更高性能也更加环保的各种电子设备。总之，这将又是一场可能影响我们整个社会的技术革命。 本文转载自企业级IT信息服务平台-网界网-CNW.com.cn 更多图片见：http://tech.163.com/digi/11/0505/10/739JUKFF00162OUT_2.html | |
 (1个打分， 平均：5.00 / 5) |
雁过留声
“3-D and III-V Transistors will be mass production,Moore’s Law Will Go on”有8个回复
首席，这个37%的性能提升，就是指计算性能吗？
提高电气性能，是让晶体管工作在更高频率的基础
第二张图的英文：
Gate electrode controls silicon fin from three sides providing improved sub-threshold slop, Inversion layer area increased for higher drive current, process cost adder is only 2-3%
翻译 by Lucifer：
栅电极从三个方向控制（源漏极间）硅板提升了亚阈值漏电表现，转化层面积的提升可以让驱动电流达到更高，工艺成本增加只有2～3%
标题：
Fully Depleted Tri-Gate Transistor，全耗尽三栅极晶体管
啊……说的不是这个图，这个图上的是
3-D Tri-Gate transistors form conducting channels on three sides of a vertical fin structure, providing “fully depleted” operation, Transistors have now entered the third dimension!
3D三栅极晶体管在一个垂直的鳍板构造的三个面上形成传导通道，从而支持一个“全耗尽”型的工作方式，晶体管现在进入了第三维！
说的那么好，为何现在IvyBridge 的良率低得可怜，连内部开发的需要都满足不了，估计任重而道远。
又看了下，发现标题的“III-V”在文内完全没体现啊……这标题自己起的吧
5.KY 于 2011-05-10 9:55 下午
说的那么好，为何现在IvyBridge 的良率低得可怜，连内部开发的需要都满足不了，估计任重而道远。
———–良率早大幅度改善了,不知道楼上是不是火星人
4月才开始生产的,现在量肯定不是很大